防爆攝像機(jī)的具有作用是：進(jìn)行煤礦災(zāi)害事故勘查取證，井下和IIC危險(xiǎn)環(huán)境下攝錄生產(chǎn)安全情況、機(jī)電設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)、頂?shù)装逯ёo(hù)情況和地質(zhì)特征等，提供高分辨率的數(shù)碼攝像和圖片。也可以用于危險(xiǎn)場(chǎng)所題材拍攝，在企業(yè)宣傳部門(mén)都有廣泛的應(yīng)用。那么選用防爆攝像機(jī)芯片的一般要素有哪些？目前防爆攝像機(jī)燈主要有三種制作方式：一：鹵素?zé)簦憾嘈酒琇ED，三：?jiǎn)涡酒琇ED。就這三個(gè)制作方式，為大家簡(jiǎn)單介紹一下他們的原理及不同。

 

　　1、鹵素?zé)裟芎母撸l(fā)熱量大，是傳統(tǒng)市場(chǎng)上應(yīng)用的紅外燈，應(yīng)用壽命較短，所以很難適宜防爆攝像機(jī)配套應(yīng)用。

 

　　2、多芯片LED也有兩種QING勢(shì)，一種是蘊(yùn)含4到8顆芯片；另外一種是陣列式發(fā)光片，含有10到30顆芯片。為什么做多芯片呢？潛在的實(shí)際是：紅外燈照射間隔不夠是因?yàn)槟芰坎粔颍嗟男酒蹟n在一起，當(dāng)然能量就大，這樣的話(huà)通常照射間隔更遠(yuǎn)。這個(gè)假如能保障紅外燈的光芒的接收率，是對(duì)的，但是在接收率不能保障的前提下，再多的紅外燈芯片只會(huì)造成運(yùn)行溫渡過(guò)高而影響壽命，并不能真正改良紅外燈照射的間隔。

 

 

　　總體來(lái)說(shuō)，多芯片的紅外攝像機(jī)在性能方面還是一個(gè)普通的鹵素?zé)簦嵌嘈酒琇ED因其結(jié)構(gòu)上的固有缺陷沒(méi)有發(fā)光焦點(diǎn)，發(fā)光光學(xué)系統(tǒng)不合理，有用光效率也對(duì)照低。比方陣列式LED，電流高達(dá)1000mA以上，根底只是一分錢(qián)硬幣大小，散熱就成為一個(gè)問(wèn)題。而咱們做技術(shù)的都知道，LED最怕的就是高熱啊，熱度一高不壞都難呀。同時(shí)，多芯片LED的生產(chǎn)要求非常嚴(yán)厲，每顆芯片都不能有性能上的一點(diǎn)差別，否則一顆芯片壞掉的話(huà)傷害的是整體芯片LED的整體?？傮w而言，應(yīng)用在防爆紅外攝像機(jī)上面，現(xiàn)有的多芯片技術(shù)LED的壽命是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。

 

 

　　3、單芯片LED生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)略，品質(zhì)容易保障、發(fā)熱量低、發(fā)光光學(xué)系統(tǒng)合理，是做防爆紅外攝像機(jī)紅外燈理想的器件，實(shí)際上應(yīng)用壽命可達(dá)10萬(wàn)小時(shí)以上。所以自然在技術(shù)上就偏向單芯片了。但是單芯片的紅外燈還是有很多制約的因素，比如說(shuō)有的LED芯片級(jí)別很低，雜質(zhì)超標(biāo)；有的生產(chǎn)工藝不過(guò)關(guān)，有漏電現(xiàn)象；有的超功率應(yīng)用，額定20mA，卻應(yīng)用50mA以上；有的沒(méi)有維護(hù)電路，或電路設(shè)計(jì)不合理，這些都會(huì)導(dǎo)致單芯片LED紅外燈快速壞掉。